1 個(gè)體情況下，同功率的開關(guān)電源與線性電源比擬，_____A , 體積大，效率高 B體積小，效率低 C, 體積穩(wěn)定，效率低 D, 體積小，效率高2大功率開關(guān)電源少用變動(dòng)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)形式是_____A , 反激式 B, 正激式 C, 自激式 D, 激式 3, 個(gè)體來說，前進(jìn)開關(guān)電源的頻次，則電源_____ A , 同體積時(shí)，增大功率 B, 功率減小，體積也減小 C, 功率增大， 體積也增大 D, 效率進(jìn)步， 體積增大4 肖特基管和快回復(fù)復(fù)興管常作為開關(guān)電源的____ A , 輸出整流管 B, 輸入整流管 C, 電壓瞬變抑制管 D, 旌旗燈號(hào)檢波管5 肖特基管與快回復(fù)復(fù)興管相比，____ A , 耐壓高 B, 反向回復(fù)復(fù)興時(shí)辰長 C, 正向壓降大 D, 耐壓低， 正向壓降小6 GPSCRGTOPIA CMOSFETIGBT中，那些是開關(guān)電源中變壓器罕用的驅(qū)動(dòng)元件____ A , GTO和GP B, PIA C 和IGBT C, MOSFET和IGBT DSCR和MOSFET7 開關(guān)電源變壓器的耗損重要包孕：____ A , 磁滯損耗、銅阻損耗、渦流消耗 B, 磁滯損耗、銅阻損耗、介電損耗 C, 銅阻損耗、渦流消耗、介電損耗 D, 磁滯損耗、渦流消耗、介電損耗8開關(guān)電源變壓器的初級(jí)漏感測(cè)量方法是___ A , 次級(jí)開路，測(cè)初級(jí)電感 B, 初級(jí)開路，測(cè)次級(jí)電感C, 次級(jí)短路，測(cè)初級(jí)電感 D, 初級(jí)短路，測(cè)次級(jí)電感9開關(guān)電源變壓器的激磁電感測(cè)量方法是___ A , 次級(jí)開路，測(cè)初級(jí)電感 B, 初級(jí)開路，測(cè)次級(jí)電感C, 次級(jí)短路，測(cè)初級(jí)電感 D, 初級(jí)短路，測(cè)次級(jí)電感10變壓器初次級(jí)間加屏蔽層的目的_____ A , 減小初次間漫衍電感引起的煩擾 B, 減小初次間分布電容惹起的煩擾 C, 前進(jìn)效力 D, 增大絕緣才能11減小開關(guān)驅(qū)動(dòng)管的耗損重要路過是_____ A , 選用低導(dǎo)通電阻驅(qū)動(dòng)管 B, 前進(jìn)驅(qū)動(dòng)管的驅(qū)動(dòng)旌旗燈號(hào)的邊沿陡度 C, 前進(jìn)開關(guān)頻次 D, A 和B及減小開關(guān)頻次12已知功率管的管芯至管殼的熱阻為℃/W,管殼至散熱器的熱阻為℃/W, 散熱器至自由空氣的熱阻為10℃/W,環(huán)境溫度為70℃，如功率管的耗損為6W使命半小時(shí)后，管芯溫度大約為___ A , ℃ B ℃ C, 70℃ D, 102℃13220VA C輸出的電源，輸入對(duì)外殼、輸入對(duì)輸出的工頻耐壓實(shí)行值一般是_____ A ,500V1000V B, 1500V2500V C, 2500V,1500V D,1000V,1500V14 電容的耗損包含漏電耗損和介電損耗，其中介電損耗是重要消耗，耗損角____ A , 越大，耗損越小 B,越小，耗損越小 C,耗費(fèi)有功功率與視在功率之比 D, 無功功功率與視在功率之比15電感飽和是指_____ A , 經(jīng)由過程的磁通隨電流變動(dòng)而變化 B, 電抗不變 C, 電抗減小 D,電抗增大 16電感、磁環(huán)、磁珠的利用不同首要是____ A , 電感用于濾波、磁環(huán)套在流有較大電流的導(dǎo)線上抗射頻干擾、磁珠用于信號(hào)線抗射頻干擾 B, 電感用于濾波、磁珠套在流有較大電流的導(dǎo)線上抗射頻干擾、磁環(huán)用于信號(hào)線抗射頻干擾 C, 磁環(huán)用于濾波、磁珠套在流有較大電流的導(dǎo)線上抗射頻干擾、電感用于信號(hào)線抗射頻干擾 D, 磁珠用于濾波、磁環(huán)套在流有較大電流的導(dǎo)線上抗射頻干擾、電感用于信號(hào)線抗射頻干擾 17真空放電管、壓敏電阻、TVS管分別用于____瞬間過壓保護(hù)。 A , 電子元器件電子裝備電氣裝備 B,電子裝備、電氣裝備、電子元器件 C, 電氣裝備、電子元器件、電子裝備 D,電氣裝備、電子裝備、電子元器件 18EMS測(cè)試中，IEC61000標(biāo)準(zhǔn)中浪涌電壓、電快速脈沖的脈寬/邊沿請(qǐng)求是___ A , 50μS/5μS 50nS/5nS B, 50μS/5nS 50nS/5nS C, 100μS/1μS 100nS/10nS D, 5μS/5nS 100nS/10Ns 19, 220VA C電源輸入濾波器共模阻抗與差模阻抗相比, _____. A , 共模阻抗與差模阻抗基本相同 B, 共模阻抗小于差模阻抗 C, 共模阻抗大于差模阻抗 D, 共模阻抗等于差模阻抗的平方 20, 模仿電路地與數(shù)字電路地一點(diǎn)共地的目的___. A , 減小數(shù)字電路地線電流 B, 減小仿照電路受到輻射干繞 C, 增大仿照電路與數(shù)字電路的共地阻抗D, 減小仿照電路與數(shù)字電路的共地阻抗答案： 2. B 3. A